Datasheet NTE466 - NTE Electronics JFET, N CH, -40 V, TO-18 — 数据表

详细说明

Manufacturer: NTE Electronics

Description: JFET, N CH, -40 V, TO-18

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Docket:
NTE466 Silicon N­Channel JFET Transistor Chopper, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: Drain­Source Voltage, VDS .

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Drain­Gate Voltage, VDG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40V Reverse Gate­Source Voltage, VGSR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ­40V Forward Gate Current, IG(f) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50mA Total Device Dissipation (TA = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 360mW Derate Above 25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4mW/°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

Specifications:

• Breakdown Voltage Vbr: -40 V
• Current Rating: 50 mA
• Gate-Source Cutoff Voltage Vgs(off) Max: -10 V
• Number of Pins: 3
• Power Dissipation: 360 mW
• Transistor Type: JFET
• Zero Gate Voltage Drain Current Idss: 50 mA

RoHS: Yes