Datasheet Nexperia PSMN3R7-100BSE — 数据表
制造商 | Nexperia |
系列 | PSMN3R7-100BSE |
采用D2PAK封装的标准级栅极驱动N沟道增强模式MOSFET,合格温度为175°C。 PSMN3R7-100BSE是Nexperia“ NextPower Live”产品组合的一部分,具有非常低的R DSon和非常强的线性模式(SOA)性能。
数据表
PSMN3R7-100BSE - N-channel 100 V, 3.95 mΩ, standard level MOSFET in D2PAK
PDF, 294 Kb, 修订版: 12092018, 文件上传: Oct 10, 2018
从文件中提取
价格
状态
PSMN3R7-100BSEJ | |
---|---|
Lifecycle Status | Production (Appropriate for new designs but newer alternatives may exist) |
打包
PSMN3R7-100BSEJ | |
---|---|
N | 1 |
Package | D2PAK |
模型线
系列: PSMN3R7-100BSE (1)
制造商分类
- MOSFETs