Datasheet Diodes DGTD65T15H2TF — 数据表
制造商 | Diodes |
系列 | DGTD65T15H2TF |
零件号 | DGTD65T15H2TF |
650V场截止IGBT
数据表
Datasheet DGTD65T15H2TF
PDF, 1.8 Mb, 语言: en, 文件上传: Mar 26, 2019, 页数: 9
650V Field Stop IGBT
650V Field Stop IGBT
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价格
详细说明
DGTD65T15H2TF使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,该技术具有高性能,出色的质量和高耐用性。
打包
Package | ITO220AB (Type MC) |
参数化
Anti Parallel Diode | Yes |
EOFF typ @ +25°C | 0.086 mJ |
EON typ @ +25°C | 0.27 mJ |
IC @ +100°C | 15 A |
IC @ +25°C | 30 A |
Power Dissipation @ TC = +25°C | 48 W |
Short Circuit | 5 µs |
VCE(sat) max @ +25°C | 2 V |
VCE(sat) typ @ +25°C | 1.65 V |
VCES | 650 V |
制造商分类
- Discrete > IGBTs