Datasheet Diodes DGTD65T40S2PT — 数据表

制造商Diodes
系列DGTD65T40S2PT
零件号DGTD65T40S2PT

TO650中的650V场截止IGBT

数据表

Datasheet DGTD65T40S2PT
PDF, 1.4 Mb, 语言: en, 文件上传: Mar 26, 2019, 页数: 9
650V Field Stop IGBT In TO247
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价格

详细说明

DGTD65T40S2PT使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,具有出色的质量和高开关性能。

打包

PackageTO247 (Type MC)

参数化

Anti Parallel DiodeYes
EOFF typ @ +25°C0.4 mJ
EON typ @ +25°C0.5 mJ
IC @ +100°C40 A
IC @ +25°C80 A
Power Dissipation @ TC = +25°C230 W
VCE(sat) max @ +25°C2.3 V
VCE(sat) typ @ +25°C1.8 V
VCES650 V

制造商分类

  • Discrete > IGBTs