Datasheet Diodes DGTD65T40S2PT — 数据表
制造商 | Diodes |
系列 | DGTD65T40S2PT |
零件号 | DGTD65T40S2PT |
TO650中的650V场截止IGBT
数据表
Datasheet DGTD65T40S2PT
PDF, 1.4 Mb, 语言: en, 文件上传: Mar 26, 2019, 页数: 9
650V Field Stop IGBT In TO247
650V Field Stop IGBT In TO247
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价格
详细说明
DGTD65T40S2PT使用先进的场截止沟槽IGBT技术生产,具有出色的质量和高开关性能。
打包
Package | TO247 (Type MC) |
参数化
Anti Parallel Diode | Yes |
EOFF typ @ +25°C | 0.4 mJ |
EON typ @ +25°C | 0.5 mJ |
IC @ +100°C | 40 A |
IC @ +25°C | 80 A |
Power Dissipation @ TC = +25°C | 230 W |
VCE(sat) max @ +25°C | 2.3 V |
VCE(sat) typ @ +25°C | 1.8 V |
VCES | 650 V |
制造商分类
- Discrete > IGBTs