Datasheet STMicroelectronics MASTERGAN4 — 数据表
| 制造商 | STMicroelectronics |
| 系列 | MASTERGAN4 |
具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器
数据表
Datasheet MASTERGAN4
PDF, 480 Kb, 语言: en, 文件上传: Apr 15, 2021, 页数: 27
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMT
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价格
详细说明
所有功能- 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管：
- QFN 9 x 9 x 1毫米封装
- R DS（开） = 225mΩ
- I DS（最大） = 6.5 A
- 反向电流能力
- 零反向恢复损耗
- 低端和高端的UVLO保护
- 内部自举二极管
- 联锁功能
- 专用引脚用于关闭功能
状态
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) | Active (Recommended for new designs) |
打包
| MASTERGAN4 | MASTERGAN4TR | |
|---|---|---|
| N | 1 | 2 |
| Package | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM | VFQFPN 9X9X1.0 31L PITCH 0.6MM |
模型线
系列: MASTERGAN4 (2)
制造商分类
- Power Management > Gate Drivers > High Voltage Half Bridge Gate Drivers