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- 6.9V精密基准电压源
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9V 齐纳参考电压具有出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9 伏齐纳参考电压提供出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9 伏齐纳参考电压提供出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9 伏齐纳参考电压提供出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9 伏齐纳参考电压提供出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
- 6.9V 精密电压基准 LM329 温度补偿 6.9 伏齐纳参考电压提供出色的时间和温度稳定性、极低的动态阻抗和宽工作电流范围。该器件通过在齐纳二极管周围加入高增益分流调节器来实现低动态阻抗。该器件的出色噪声性能是通过使用“埋置齐纳二极管”设计实现的，该设计消除了与普通齐纳二极管相关的表面噪声现象。为了满足各种应用，LM129 提供多种温度系数等级和两种封装样式。下面显示了一个 20mA 正电流源应用。
增强型产品，4.1V，低漂移，低功耗系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...- 增强型产品，4.1V，低漂移，低功耗系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品，4.1V，低漂移，低功耗系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品，3.3V，低漂移，低功耗，小尺寸系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品，3.3V，低漂移，低功耗，小尺寸系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品，3.3V，低漂移，低功耗，小尺寸系列电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品、3V、低漂移、低功耗、小尺寸串联电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品、3V、低漂移、低功耗、小尺寸串联电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- 增强型产品、3V、低漂移、低功耗、小尺寸串联电压基准 REF34xx-EP 器件是一款低温漂移 (10 ppm/°C)、低功耗、高精度 CMOS 电压基准，具有 ±0.05% 初始精度、低工作电流和低于 95 µA 的功耗。该器件还提供 3.8 µVp-p/V 的极低输出噪声，使其能够在噪声关键系统中使用高分辨率数据转换器保持高信号完整性。REF34xx-EP 采用小型 SOT-23 封装，提供增强的规格和 MAX607x 和 ADR34xx 的引脚对引脚替代品。REF34xx-EP ...
- Enhanced product, 2.5-V, low-drift, low-power series voltage reference The REF34xx-EP device is a low temperature drif (10 ppm/ C), low-power, high-precision CMOS voltage reference, featuring 0.05% initial accuracy, low operating current with power ...
- Enhanced product, 2.5-V, low-drift, low-power series voltage reference The REF34xx-EP device is a low temperature drif (10 ppm/ C), low-power, high-precision CMOS voltage reference, featuring 0.05% initial accuracy, low operating current with power ...
- Enhanced product, 2.5-V, low-drift, low-power series voltage reference The REF34xx-EP device is a low temperature drif (10 ppm/ C), low-power, high-precision CMOS voltage reference, featuring 0.05% initial accuracy, low operating current with power ...
具有八个通用输入或输出 (GPIO) 的可编程逻辑设备 TPLD1201 是 TI 可编程逻辑器件 (TPLD) 系列器件的一部分，该系列器件具有多功能可编程逻辑 IC，带有组合逻辑、序贯逻辑和模拟块。