Datasheet ON Semiconductor MTP3N60E/D — 数据表

制造商ON Semiconductor
系列MTP3N60E
零件号MTP3N60E/D

TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate

数据表

Datasheet MTP3N60E
PDF, 292 Kb, 语言: en, 文件上传: Sep 27, 2022, 页数: 9
TMOS E−FET High Energy Power FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate
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详细说明

这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计,雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测,并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。

模型线

系列: MTP3N60E (1)
  • MTP3N60E/D

制造商分类

  • Discretes & Drivers > MOSFETs