Datasheet STMicroelectronics STB19NF20 — 数据表
制造商 | STMicroelectronics |
系列 | STB19NF20 |
零件号 | STB19NF20 |
N 沟道 200 V、0.11 欧姆(典型值)、11 A 网格覆盖功率 MOSFET,采用 TO-220 封装
数据表
Datasheet STB19NF20, STD19NF20 STF19NF20, STP19NF20
PDF, 825 Kb, 语言: en, 文件上传: Jun 25, 2024, 页数: 30
N-channel 200 V, 0.11 Ω, 15 A, MESH OVERLAY Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO‑220FP and TO-220 packages
N-channel 200 V, 0.11 Ω, 15 A, MESH OVERLAY Power MOSFETs in D2PAK, DPAK, TO‑220FP and TO-220 packages
从文件中提取
价格
详细说明
这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
其他选择
制造商分类
- Power transistors > Power MOSFETs > STPOWER N-channel MOSFETs > 30 V to 200 V