Datasheet Infineon IGC033S101 — 数据表
| 制造商 | Infineon |
| 系列 | IGC033S101 |
IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管，采用小型 PQFN 3x5 封装，可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻，它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
数据表
Datasheet IGC033S101
PDF, 1.2 Mb, 语言: en, 修订版: 01_00, 文件上传: Apr 23, 2025, 页数: 18
The IGC033S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs
The IGC033S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x5 package, enabling high power density designs
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价格
状态
| IGC033S101XTMA1 | |
|---|---|
| Lifecycle Status | Active (Recommended for new designs) |
模型线
系列: IGC033S101 (1)
制造商分类
- Power > Gallium nitride (GaN) > GaN transistors