Datasheet NTE2387 - NTE Electronics N CHANNEL MOSFET, 800 V, 4 A, TO-220 — 数据表
Part Number: NTE2387
详细说明
Manufacturer: NTE Electronics
Description: N CHANNEL MOSFET, 800 V, 4 A, TO-220
Docket:
NTE2387 MOSFET NChannel Enhancement Mode, High Speed Switch
Absolute Maximum Ratings: DrainSource Voltage, VDS .
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V DrainGate Voltage (RGS = 20k), VDGR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V GateSource Voltage, VGS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ±30V Pulsed Drain Current, IDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16A Continuous Drain Current, ID TC = +25°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.0A TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.5A Total Dissipation (TC =
Specifications:
- Continuous Drain Current Id: 4 A
- Drain Source Voltage Vds: 800 V
- On Resistance Rds(on): 3 Ohm
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 V
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 V
- Transistor Polarity: N Channel
RoHS: Yes
Accessories:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 273-AB