Datasheet PHK12NQ03LT - NXP MOSFET, N, SO-8 — 数据表

制造商	NXP
系列	PHK12NQ03LT

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详细说明

制造商： NXP

说明：MOSFET，N，SO-8

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案卷：
PHK12NQ03LT
N通道TrenchMOSTM逻辑电平FET
M3D315
2004年3月2日-02日
产品资料

规格：

• 连续漏极电流Id：11.8 A
• 电流最大值：11.8 A
• 当前温度：25°C
• 漏源电压Vds：30 V
• 外部深度：5.2毫米
• 外部长度/高度：1.75毫米
• 外部宽度：4.05毫米
• 满功率额定温度：25°C
• 安装类型：SMD
• 针数：8
• 晶体管数量：1
• 导通电阻：14 MOhm
• 工作温度范围：-55°C至+ 150°C
• 包装/箱：SOIC
• 功耗Pd：2.5 W
• 脉冲电流Idm：35.3 A
• Rds（on）测试电压Vgs：10 V
• 行距：6.3毫米
• 贴片标记：PHK12NQ03LT
• SVHC：否SVHC（2010年6月18日）
• 门限电压Vgs典型值：2 V
• 晶体管外壳样式：SOIC
• 晶体管极性：N通道
• 电压Vds Typ：30 V
• 最大电压Vgs：20 V
• 测量时的电压Vgs Rds：10 V

RoHS：是的

配件：

• 道康宁-2265931
• Fischer Elektronik-ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik-WLK 5

模型线