Datasheet 1НТ251, 1НТ251А, 1НТ251А1, К1НТ251 (ВЗПП-С) - 5

制造商ВЗПП-С
描述Транзисторные сборки, состоящие из четырех кремниевых эnитаксиально-планарных структуры п-р-п переключательных транзисторов
页数 / 页5 / 5 — и~1 11Фl( , tJ. 1HTl5l 1Hll51A,. K1Hll51 50 °. 10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f …
文件格式/大小PDF / 596 Kb
文件语言俄语

и~1 11Фl( , tJ. 1HTl5l 1Hll51A,. K1Hll51 50 °. 10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f = 125°( '•. 10 100 1000 1fJ(J(J0 15. 10 [к.пФ

и~1 11Фl( , tJ 1HTl5l 1Hll51A, K1Hll51 50 ° 10 о LJ,nФ  ,~~10°с -'~ f = 125°( '• 10 100 1000 1fJ(J(J0 15 10 [к.пФ

该数据表的模型线

文件文字版本

и~1 11Фl( , tJ
1HTl5l 1Hll51A,
K1Hll51 50 "°
10
10
10 о LJ,nФ . ,~~10°с -'~ f = 125°( '•
10 100 1000 1fJ(J(J0 15
JO
15
10 [к.пФ
1Hll51, IHTJSIA. 1 К1НТ151
l=lW~ t. Зааисимость макси­
мально доnустимоrо
постоянного напряже­
ния коп.nектор-эмит­
тер от сопротивления
база-эмиттер о 1 i 1 10
8 \;: f=l НГи 6 ._ 15 Р». Он IHTl51. 1НТ151А
KIHTl51 11 , uJf, ,8 Зависимость емкости
эмиттерноrо перехода
от .аnряжения эмит­
тер-база '
О 10 10 10 ,о и•.в Зааисимость емкости
коллекторного перехо­
да от напряжения кол лектор-база