Datasheets - MOSFET单晶体管 Efficient Power Conversion
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Efficient Power Conversion"
制造商
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EPC2361：100 V、101 A 增强型 GaN 功率晶体管 氮化镓具有极高的电子迁移率和低温度系数，可实现极低的 RDS(on)，而其横向器件结构和多数载流子二极管可提供极低的 QG 和零 QRR。最终结果是一种器件可以处理需要极高开关频率和低导通时间的任务，以及那些导通损耗占主导地位的任务- 150 V、329 A 增强型 GaN 功率晶体管
- 200 V、260 A 增强型 GaN 功率晶体管
增强型功率晶体管 VDS，100 伏 RDS(on)，1.8mΩ 身份证，101A 脉冲 ID，408 A- 170 V，102 A增强型GaN功率晶体管
200 V，54 A增强模式GaN功率晶体管 VDS，200伏 RDS（on），22兆欧 ID 14 A 脉冲ID，54 A- 200 V，162 A增强型GaN功率晶体管 VDS，200伏 RDS（on），8兆欧 内径32 A 脉冲ID，162 A
100 V，37 A增强模式GaN功率晶体管- 350 V，26 A增强模式GaN功率晶体管
排序方式: 关联 / 日期