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GPI8HIRGIC — Datasheet GaNPower International
门驱动器
GaNPower International
GPI8HIRGIC
采用DFN5x6封装的GaN电源IC 这些器件是基于650 V功率GaN HEMT的功率IC,采用专有的(美国专利中的)硅E型GaN技术。栅极驱动器与主功率晶体管集成在一起,从而实现了快速开关,高系统功率密度和低成本。边沿触发窄脉冲用于控制设备的开启/关闭。这导致了较高的抗噪声能力,并且在半桥应用中为高端开关的隔离和电平转换提供了小型且廉价的变压器。
GPI8HINOIC — Datasheet GaNPower International
门驱动器
GaNPower International
GPI8HINOIC
采用DFN5x6封装的GaN电源IC 这些器件是基于650 V功率GaN HEMT的功率IC,采用专有的(美国专利中的)硅E型GaN技术。栅极驱动器与主功率晶体管集成在一起,从而实现了快速开关,高系统功率密度和低成本。边沿触发窄脉冲用于控制设备的开启/关闭。这导致了较高的抗噪声能力,并且在半桥应用中为高端开关的隔离和电平转换提供了小型且廉价的变压器。
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