Datasheets - MOSFET单晶体管 Littelfuse
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Littelfuse"
制造商
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高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-220
高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-251
高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-252
耗尽型N沟道MOSFET- 耗尽型N沟道MOSFET
增强模式SiC MOSFET，1700 V，1欧姆，N沟道
排序方式: 关联 / 日期