Datasheets - MOSFET单晶体管 Nexperia
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "Nexperia"
制造商
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BSP122 BUK7M3R3-40H BUK7S0R5-40H BUK7V4R2-40H BUK9M3R3-40H BUK9V13-40H GAN063-650WSA PHK12NQ03LT PMF170XP PMN50XP PMV20EN PMV60EN PSMN0R9-25YLC PSMN0R9-30ULD PSMN1R0-40ULD PSMN3R7-100BSE PSMNR55-40SSH SI2302DS搜索结果: 18 输出量: 1-18
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N沟道TrenchMOS逻辑电平FET 采用 TrenchMOS 技术的塑料封装逻辑电平 N 通道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品仅设计并符合计算、通信、消费和工业应用的要求。 该产品已停产。
20 V、1 A P 沟道沟槽 MOSFET P 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用 SOT323 (SC-70) 小型表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
采用 NextPowerS3 技术的 LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.55 mOhm、500 Amps 连续标准电平 MOSFET 500 安培连续电流、标准电平栅极驱动、采用 LFPAK88 封装的 N 沟道增强型 MOSFET。 NextPowerS3 系列采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术，可提供通常与具有集成肖特基或类肖特基二极管的 MOSFET 相关的高效率和低尖峰性能，但不会出现高漏电流问题。 NextPowerS3 ...- LFPAK88 中的 N 沟道 40 V、0.5 mOhm 标准电平 MOSFET 采用最新的Trench 9低欧姆超结技术的汽车级N沟道MOSFET，采用铜夹LFPAK88封装。该产品经过全面设计，符合 AEC-Q101 以外的要求，可提供高性能和可靠性。
P沟道TrenchMOS极低级FET
LFPAK56D中的双N通道40 V，13 mOhm逻辑电平MOSFET（半桥配置） 采用Trench 9 TrenchMOS技术，采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双逻辑电平N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。- LFPAK56D中的双N通道40 V，4.2 mOhm标准电平MOSFET（半桥配置） 采用Trench 9 TrenchMOS技术，采用LFPAK56D封装（半桥配置）的双路标准级N沟道MOSFET。本产品已经过设计并符合AEC-Q101的要求。
- 30 V，N沟道Trench MOSFET
N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
N沟道垂直D-MOS逻辑电平FET
650 V，50mΩ氮化镓（GaN）FET GAN063-650WSA是650V，50mΩ氮化镓（GaN）FET。它是一种常关型设备，结合了Nexperia的最新高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术-具有出色的可靠性和性能。符合AEC-Q101。- 采用Trench 9 TrenchMOS技术的LFPAK33封装的汽车级逻辑级N沟道MOSFET。该产品经过设计并通过AEC-Q101认证，可用于高性能汽车应用。
- 采用Trench 9 TrenchMOS技术的LFPAK33封装的汽车级标准标准N沟道MOSFET。该产品经过设计并符合AEC-Q101的要求，可用于高性能汽车应用。
- 采用D2PAK封装的标准级栅极驱动N沟道增强模式MOSFET，合格温度为175°C。 PSMN3R7-100BSE是Nexperia“ NextPower Live”产品组合的一部分，具有非常低的R DSon 和非常强的线性模式（SOA）性能。
- SOT1023A具有改进的爬电距离和电气间隙，满足UL2595要求，采用先进的TrenchMOS超结技术，采用150°C LFPAK56封装的280A逻辑电平栅极驱动N沟道增强型MOSFET。该产品已针对高性能电源开关应用进行了设计和认证。
- SOT1023A具有改进的爬电距离和电气间隙，符合UL2595要求。 LFPAK56封装的300 Amp逻辑电平栅极驱动N沟道增强模式MOSFET。利用Nexperia独特的“ SchottkyPlusPlus”技术的NextPowerS3产品组合可提供高效率，低尖峰性能，通常与带有集成肖特基或类似肖特基二极管的MOSFET相关，但不会出现高漏电流的问题。 NextPowerS3特别适合于高开关频率下的高效率应用。
- N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
- 采用NextPower技术的LFPAK中的N沟道25 V 0.99mΩ逻辑电平MOSFET
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