Datasheets - MOSFET单晶体管 ON Semiconductor - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商: "ON Semiconductor"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba Vishay Wayon Wolfspeed系列
2N7000 2N7002 BS107A BS108 BSS123 BSS138 CPH3362 FDC6312P FDD4141 FDMS86500L FDMS8690 FDN302P FDN304P FDN335N FDN336P FDN340P FDS6575 FDS6675 FDS6890A FDV302P FDV303N FQP27P06 HUF75652G3 IRF530 MTD20P06HDL MTP2P50E MTP36N06V MTP3N60E MTP50P03HDL MTW24N40E NDS0610 NDS331N NDS351AN NDS7002A NDS8434 NTBG015N065SC1 NTD3055L104 NTD3055L170 NTD4815NH NTD6600N NTDV3055L104 NTH4L015N065SC1 NTZD3155C NVBG015N065SC1 NVD3055L170 NVH4L015N065SC1 RFP12N10L搜索结果: 243 输出量: 21-40
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- 双N沟道2.5V额定PowerTrench MOSFET 20V，7.5A，18mΩ
- P通道1.8V额定PowerTrench MOSFET -20V，-2.4A，52mΩ
- 具有ESD保护的20V互补小信号MOSFET
- P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET -20V，-10A，13mΩ
- P通道PowerTrench MOSFET，-40V，-50A，12.3mΩ 这款P沟道MOSFET使用专有的PowerTrench技术生产，具有低R DS（on） 和优化的Bvdss功能，可在应用中提供卓越的性能优势。以及优化的开关性能，可减少转换器/逆变器应用中的功耗损失。
- 单P通道逻辑电平PowerTrench MOSFET -20V，-1.3A，200mΩ
- N通道2.5V额定PowerTrench™MOSFET 20V，1.7A，70mΩ
- 功率MOSFET 60 V，20 A，逻辑电平，P通道DPAK
- P通道增强模式场效应晶体管-60V，-0.12A，10Ω
- N通道逻辑电平功率MOSFET 100V，12A，200mΩ
- N通道逻辑电平增强模式场效应晶体管，50V，220mA
- N通道增强模式场效应晶体管60V，0.28A，5Ω
- N通道增强模式场效应晶体管60V，0.115A，7.5Ω
- N通道增强模式场效应晶体管60V，200mA，5Ω
- 功率MOSFET，P通道 ，QFET®，-60 V，-27 A，70毫欧，TO-220
- 的N-沟道PowerTrench MOSFET®60V，158A，2.5mΩ
N沟道功率沟道MOSFET 30V，27A，9.0mΩ- 数字FET，P通道
- P通道2.5V额定PowerTrench MOSFET
- -30V单P通道逻辑电平PowerTrenchВ®MOSFET
排序方式: 关联 / 日期