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数据表IGBT / MOSFET驱动器
Renesas

Datasheets - IGBT / MOSFET驱动器 Renesas

小节: "IGBT / MOSFET驱动器"
制造商: "Renesas"
制造商
Allegro Analog Devices Intersil IXYS Linear Technology Microchip Power Integrations Renesas STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba
系列
HIP2210 HIP2211 ISL78424 ISL78434 ISL78444
搜索结果: 5 输出量: 1-5

视图: 清单 / 图片

  1. HIP2211FBZ — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas HIP2211 HIP2211FBZ
    具有HI / LI输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2211是一款100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2211具有标准的HI / LI输入，并且与流行的瑞萨电子桥驱动器（例如HIP2101和ISL2111）引脚兼容。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 ...
  2. HIP2210FRTZ-T7A — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas HIP2210 HIP2210FRTZ-T7A
    具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...
  1. ISL78444AVEZ-T7A — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas ISL78444 ISL78444AVEZ-T7A
    具有单PWM输入和自适应死区控制的100V引导，4A峰值，半桥驱动器
  2. ISL78434AVEZ — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas ISL78434 ISL78434AVEZ
    具有单PWM输入和自适应死区控制的100V引导，4A峰值，半桥驱动器
  3. ISL78424AVEZ-T7A — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas ISL78424 ISL78424AVEZ-T7A
    具有单PWM输入和自适应死区控制的100V引导，4A峰值，半桥驱动器

排序方式: 关联 / 日期