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数据表IGBT / MOSFET驱动器
Renesas

Datasheets - IGBT / MOSFET驱动器 Renesas

小节: "IGBT / MOSFET驱动器"
制造商: "Renesas"
制造商
Allegro Analog Devices Intersil IXYS Linear Technology Microchip Power Integrations Renesas STMicroelectronics Texas Instruments Toshiba
系列: "HIP2210"
系列
HIP2210 HIP2211 ISL78424 ISL78434 ISL78444
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视图: 清单 / 图片

  1. HIP2210FRTZ-T7A — Datasheet Renesas
    IGBT / MOSFET驱动器 Renesas HIP2210 HIP2210FRTZ-T7A
    具有三电平PWM输入和可调死区时间的100V，3A电源，4A灌电流，高频半桥驱动器 HIP2210是一个100V，3A电源，4A灌电流高频半桥NMOS FET驱动器。 HIP2210具有三级PWM输入，具有可编程的死区时间。其6V至18V的宽工作电源范围以及集成的高端自举二极管支持在100V半桥应用中驱动高端和低端NMOS。 该驱动器具有强大的3A源，4A灌驱动器，具有非常快的15ns典型传播延迟和2ns典型延迟匹配，因此非常适合高频开关应用。 VDD和引导UVLO可以防止欠压操作。 ...