Datasheets - 门驱动器 STMicroelectronics

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1. STGAP3SXS — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP3S STGAP3SXS
   具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器，可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
2. STGAP3SXI — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP3S STGAP3SXI
   具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器，可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。

3. STGAP3S6S — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP3S STGAP3S6S
   具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器，可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
4. STGAP3S6I — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP3S STGAP3S6I
   具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器，可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
5. L99H92 — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics L99H92
   适合汽车应用的 H 桥栅极驱动器 L99H92 旨在驱动单 H 桥或双独立半桥配置中的 4 个外部 N 通道 MOSFET 晶体管，用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流感应放大器。 该设备具有低功耗模式（待机模式），其中电流消耗低于 5 µA。 可编程栅极驱动电流可最大程度降低 EMI。每个栅极驱动器独立监控其外部 MOSFET 漏源电压，以检测故障情况。 可编程交叉电流保护时间可避免每个半桥的高端和低端同时激活。 ...
6. STGAP2SICD — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP2SICD
   电隔离 4 A 双栅极驱动器 所有功能 高达 1200 V 的高压轨 驱动器电流能力：4 A 灌/拉 @ 25 °C dV/dt 瞬态抗扰度 ±100 V/ns 整体输入输出传播延迟：75 ns 单独的灌电流和拉电流选项，便于栅极驱动配置 4米勒钳 UVLO 功能 可配置联锁功能
7. STGAP2HD — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP2HD
   电隔离 4 A 双栅极驱动器 所有功能 高达 1200 V 的高压轨 驱动器电流能力：4 A 灌/拉 @ 25 °C dV/dt 瞬态抗扰度 ±100 V/ns 整体输入输出传播延迟：75 ns 单独的灌电流和拉电流选项，便于栅极驱动配置 4米勒钳 UVLO 功能 可配置联锁功能
8. MASTERGAN4 — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics MASTERGAN4
   具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS（开） = 225mΩ I DS（最大） = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
9. STGAP2SICS — Datasheet STMicroelectronics
   门驱动器 STMicroelectronics STGAP2SICS
   电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
10. MASTERGAN2 — Datasheet STMicroelectronics
    门驱动器 STMicroelectronics MASTERGAN2
    具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别 为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
11. STDRIVE101 — Datasheet STMicroelectronics
    门驱动器 STMicroelectronics STDRIVE101
    三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
12. STGAP2HS — Datasheet STMicroelectronics
    门驱动器 STMicroelectronics STGAP2HS
    电隔离4 A单栅极驱动器 STGAP2HS是单个栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。 栅极驱动器具有4 A的能力和轨至轨输出，使该器件还适合中高功率应用，例如工业应用中的功率转换和电机驱动器逆变器。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断。具有单输出引脚和Miller CLAMP功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。两种配置均可为外部组件提供高度的灵活性并减少材料清单。 ...
13. STGAP2D — Datasheet STMicroelectronics
    门驱动器 STMicroelectronics STGAP2D
    电隔离4 A半桥双通道栅极驱动器

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