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MASTERGAN2 — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
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MASTERGAN2
具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装,在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压,低端和高端的R DS(ON)分别 为150mΩ和225mΩ,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端,而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
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