Datasheets - 碳化硅场效应管 UnitedSiC

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1. UF3SC120040B7S — Datasheet UnitedSiC
   碳化硅场效应管 UnitedSiC UF3SC120040B7S
   

   1200V-35mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
2. UF3SC065030B7S — Datasheet UnitedSiC
   碳化硅场效应管 UnitedSiC UF3SC065030B7S
   

   650V-27mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

3. UF3C120150B7S — Datasheet UnitedSiC
   碳化硅场效应管 UnitedSiC UF3C120150B7S
   

   1200V-150mW 碳化硅共源共栅 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。
4. UF3C065080B7S — Datasheet UnitedSiC
   碳化硅场效应管 UnitedSiC UF3C065080B7S
   

   650V-85mW 碳化硅场效应管 该 SiC FET 器件基于独特的“共源共栅”电路配置，其中常开 SiC JFET 与 Si MOSFET 共同封装以生产常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或Si 超结器件。该器件采用 D2PAK-7L 封装，具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，非常适合开关感性负载以及任何需要标准栅极驱动的应用。

排序方式: 关联 / 日期