Datasheets - 晶体管输出光电耦合器 Vishay
小节: "晶体管输出光电耦合器"
制造商: "Vishay"
系列
4N35 4N36 4N37 CNY75 H11AA1 MOC8101 MOC8102 MOC8103 MOC8104 SFH6106 SFH610A SFH6156 SFH617A VOMA617A VOMA618A搜索结果: 15 输出量: 1-15
视图: 清单 / 图片
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、高可靠性、5300 V RMS SFH6156 具有多种传输比、低耦合电容和高隔离电压的特点。该耦合器具有 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合，并集成在塑料 SMD 封装中。 耦合装置设计用于两个电分离电路之间的信号传输。
- 光耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，5300 VRMS SFH610A 和 SFH6106 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有一个 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器光学耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。
- 光耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，5300 VRMS SFH610A 和 SFH6106 具有高电流传输比、低耦合电容和高隔离电压。这些耦合器具有一个 GaAs 红外二极管发射器，该发射器与硅平面光电晶体管检测器光学耦合，并集成在塑料 DIP-4 或 SMD 封装中。
- 光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，SOP-4，微型平板封装 特征： 符合AEC-Q101 高CTR和低输入电流 低功耗
光电耦合器，光电晶体管输出，带基础连接- 光电耦合器，光电晶体管输出，带基础连接
- 光电耦合器，光电晶体管输出，带基础连接
- 光电耦合器，光电晶体管输出，低输入电流，SOP-4，微型平板封装
- 光电耦合器，光电晶体管输出，高可靠性，5300 VRMS，额定110°C
- 光电耦合器，光电晶体管输出，交流输入，带基本连接
光电耦合器，光电晶体管输出，带基础连接
排序方式: 关联 / 日期