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FDN337N — Datasheet Fairchild
MOSFET单晶体管
Fairchild
FDN337N
N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
FDV303N-MR — Datasheet Fairchild
MOSFET单晶体管
Fairchild
FDV303N
FDV303N-MR
数字 FET,N 沟道
FDV303N — Datasheet Fairchild
MOSFET单晶体管
Fairchild
FDV303N
数字 FET,N 沟道
SI2308DS-T1 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SI2308DS
SI2308DS-T1
N 沟道 60V (DS) 额定 MOSFET
SI2308DS-T1-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SI2308DS
SI2308DS-T1-GE3
N 沟道 60V (DS) 额定 MOSFET
SI2308DS-T1-E3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SI2308DS
SI2308DS-T1-E3
N 沟道 60V (DS) 额定 MOSFET
FDV301N — Datasheet Fairchild
MOSFET单晶体管
Fairchild
FDV301N
数字 FET,N 沟道 规格: 连续漏极电流 Id:220 mA 电流 ID 最大值:220 mA 当前温度:25°C 漏源电压 Vds:25 V ESD HBM:6 kV 外部深度:2.5 毫米 外部长度/高度:1.12 毫米 外宽:3.05 毫米 全功率额定温度:25°C 安装类型:贴片 引脚数:3 晶体管数量:1 电阻 Rds(on): 5 Ohm 包装/箱:SOT-23 功耗:350 mW 脉冲电流 Idm:500 mA Rds(on) 测试电压 Vgs:2.7 V ...
BC860B — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC860
BC860B
PNP硅AF晶体管
BC859B — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC859
BC859B
PNP硅AF晶体管
BC859C — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC859
BC859C
PNP硅AF晶体管
BC858A — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC858
BC858A
PNP硅AF晶体管
BC858B — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC858
BC858B
PNP硅AF晶体管
BC858C — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC858
BC858C
PNP硅AF晶体管
BC857A — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC857
BC857A
PNP硅AF晶体管
BC857B — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC857
BC857B
PNP硅AF晶体管
BC857C — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC857
BC857C
PNP硅AF晶体管
BC856A — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC856
BC856A
PNP硅AF晶体管
BC856B — Datasheet Infineon
双极型单晶体管
Infineon
BC856
BC856B
PNP硅AF晶体管
BC850CMTF — Datasheet Fairchild
双极型单晶体管
Fairchild
BC850
BC850CMTF
NPN外延硅晶体管
BC850AMTF — Datasheet Fairchild
双极型单晶体管
Fairchild
BC850
BC850AMTF
NPN外延硅晶体管
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