Datasheets
Image search: Image search 
搜索结果: 3 输出量: 1-3
视图: 清单 / 图片
- MOSFET，N，100 V，36 A，TO-220 规格： 连续漏极电流Id：30 A 电流ID最大值：36 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：100 V 满功率额定温度：25°C 结至外壳热阻A：1.1°C / W 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 导通电阻：44 MOhm 包装/箱：TO-220AB 功耗Pd：94 W 脉冲电流Idm：120 A Rds（on）测试电压Vgs：10 V SVHC：否SVHC（2010年12月15日） ...
- MOSFET，55 V，12 A，TO-220 规格： 连续漏极电流Id：12 A 电流ID最大值：-12 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：55 V 满功率额定温度：25°C 结至外壳热阻A：3.3°C / W 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 抵抗阻力Rds（on）：172 MOhm 包装/箱：TO-220AB 引脚配置：A 引脚格式：1克 功耗Pd：45 W 脉冲电流Idm：48 A Rds（on）测试电压Vgs：-10 V ...
- 30A，60V，ESD额定，0.047 Ohm，逻辑电平N沟道功率MOSFET 规格： P30N06LE 连续漏极电流Id：30 A 电流最大值：30 A 当前温度：25°C 漏源电压Vds：60 V 满功率额定温度：25°C 引线间距：2.54 mm 安装类型：通孔 针数：3 晶体管数量：1 上电阻Rds（on）：47 MOhm 工作温度范围：-55°C至+ 175°C 包装/箱：TO-220AB 功耗Pd：96 W 脉冲电流Idm：100 A Rds（on）测试电压Vgs：5 V ...