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1. IXTY02N50D — Datasheet IXYS
   MOSFET单晶体管 IXYS IXTY02N50D
   

   高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-252
2. IXTY02N50D — Datasheet Littelfuse
   MOSFET单晶体管 Littelfuse IXTY02N50D
   

   高压功率MOSFET 与常规增强型MOSFET不同，耗尽型MOSFET需要负栅极偏置才能关断。因此，它们保持在零栅极偏置电压或高于零栅极偏置电压的状态，但否则具有类似MOSFET的特性。它们适用于电平转换，固态继电器，电流调节器和有功负载。 包装类型：TO-252