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1. MMBZ5267B-E3-08 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267B-E3-08
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
2. MMBZ5267C-E3-08 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267C-E3-08
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

3. MMBZ5267B-HE3-08 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267B-HE3-08
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
4. MMBZ5267C-HE3-08 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267C-HE3-08
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
5. MMBZ5267B-E3-18 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267B-E3-18
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
6. MMBZ5267C-E3-18 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267C-E3-18
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
7. MMBZ5267B-HE3-18 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267B-HE3-18
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
8. MMBZ5267C-HE3-18 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5267 MMBZ5267C-HE3-18
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
9. MMBZ5266B-E3-08 — Datasheet Vishay
   二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266B-E3-08
   

   小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
10. MMBZ5266C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
11. MMBZ5266B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
12. MMBZ5266C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
13. MMBZ5266B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
14. MMBZ5266C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
15. MMBZ5266B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
16. MMBZ5266C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5266 MMBZ5266C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
17. MMBZ5265B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
18. MMBZ5265C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
19. MMBZ5265B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
20. MMBZ5265C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s