Datasheets - 2

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21. MMBZ5265B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
22. MMBZ5265C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

23. MMBZ5265B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
24. MMBZ5265C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5265 MMBZ5265C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
25. MMBZ5264B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
26. MMBZ5264C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
27. MMBZ5264B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
28. MMBZ5264C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
29. MMBZ5264B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
30. MMBZ5264C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
31. MMBZ5264B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
32. MMBZ5264C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5264 MMBZ5264C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
33. MMBZ5263B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
34. MMBZ5263C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
35. MMBZ5263B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
36. MMBZ5263C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
37. MMBZ5263B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
38. MMBZ5263C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
39. MMBZ5263B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
40. MMBZ5263C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5263 MMBZ5263C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s