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61. MMBZ5260B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5260 MMBZ5260B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
62. MMBZ5260C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5260 MMBZ5260C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

63. MMBZ5260B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5260 MMBZ5260B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
64. MMBZ5260C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5260 MMBZ5260C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
65. MMBZ5259B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
66. MMBZ5259C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
67. MMBZ5259B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
68. MMBZ5259C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
69. MMBZ5259B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
70. MMBZ5259C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
71. MMBZ5259B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
72. MMBZ5259C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5259 MMBZ5259C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
73. MMBZ5258B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
74. MMBZ5258C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
75. MMBZ5258B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
76. MMBZ5258C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
77. MMBZ5258B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
78. MMBZ5258C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
79. MMBZ5258B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
80. MMBZ5258C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5258 MMBZ5258C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s