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81. MMBZ5257B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
82. MMBZ5257C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

83. MMBZ5257B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
84. MMBZ5257C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
85. MMBZ5257B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
86. MMBZ5257C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
87. MMBZ5257B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
88. MMBZ5257C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5257 MMBZ5257C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
89. MMBZ5256B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
90. MMBZ5256C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
91. MMBZ5256B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
92. MMBZ5256C-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256C-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
93. MMBZ5256B-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256B-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
94. MMBZ5256C-E3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256C-E3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
95. MMBZ5256B-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256B-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
96. MMBZ5256C-HE3-18 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5256 MMBZ5256C-HE3-18
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
97. MMBZ5255B-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255B-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
98. MMBZ5255C-E3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255C-E3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
99. MMBZ5255B-HE3-08 — Datasheet Vishay
    二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255B-HE3-08
    

    小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
100. MMBZ5255C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s