Datasheets - 6

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101. MMBZ5255B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
102. MMBZ5255C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

103. MMBZ5255B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
104. MMBZ5255C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5255 MMBZ5255C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
105. MMBZ5254B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
106. MMBZ5254C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
107. MMBZ5254B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
108. MMBZ5254C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
109. MMBZ5254B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
110. MMBZ5254C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
111. MMBZ5254B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
112. MMBZ5254C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5254 MMBZ5254C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
113. MMBZ5253B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
114. MMBZ5253C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
115. MMBZ5253B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
116. MMBZ5253C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
117. MMBZ5253B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
118. MMBZ5253C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
119. MMBZ5253B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
120. MMBZ5253C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5253 MMBZ5253C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s