Datasheets - 7

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121. MMBZ5252B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
122. MMBZ5252C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

123. MMBZ5252B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
124. MMBZ5252C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
125. MMBZ5252B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
126. MMBZ5252C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
127. MMBZ5252B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
128. MMBZ5252C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5252 MMBZ5252C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
129. MMBZ5251B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
130. MMBZ5251C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
131. MMBZ5251B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
132. MMBZ5251C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
133. MMBZ5251B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
134. MMBZ5251C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
135. MMBZ5251B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
136. MMBZ5251C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5251 MMBZ5251C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
137. MMBZ5250B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5250 MMBZ5250B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
138. MMBZ5250C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5250 MMBZ5250C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
139. MMBZ5250B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5250 MMBZ5250B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
140. MMBZ5250C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5250 MMBZ5250C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s