Datasheets - 10

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181. MMBZ5245B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5245 MMBZ5245B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
182. MMBZ5245C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5245 MMBZ5245C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s

183. MMBZ5245B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5245 MMBZ5245B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
184. MMBZ5245C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5245 MMBZ5245C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
185. MMBZ5244B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
186. MMBZ5244C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
187. MMBZ5244B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
188. MMBZ5244C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
189. MMBZ5244B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
190. MMBZ5244C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
191. MMBZ5244B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
192. MMBZ5244C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5244 MMBZ5244C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
193. MMBZ5243B-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243B-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
194. MMBZ5243C-E3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243C-E3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
195. MMBZ5243B-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243B-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
196. MMBZ5243C-HE3-08 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243C-HE3-08
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
197. MMBZ5243B-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243B-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
198. MMBZ5243C-E3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243C-E3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
199. MMBZ5243B-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243B-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s
200. MMBZ5243C-HE3-18 — Datasheet Vishay
     二极管-齐纳单 Vishay MMBZ5243 MMBZ5243C-HE3-18
     

     小信号齐纳二极管 特征 硅平面功率齐纳二极管 封装 (JEDEC) 代码：SOT-23 标准齐纳电压容差为 ± 5 %，带有“B”后缀（例如：MMBZ5225B），后缀“C”为 ± 2 % 容差。 保证高温焊接：端子处 260 °C/4 x 10 s