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- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。
- 光耦合器、光电晶体管输出、无基极连接 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 系列光耦合器由砷化镓红外发射二极管组成，采用塑料插入式 DIP-6 封装，与硅平面光电晶体管探测器进行光学耦合。 该耦合装置适用于两个电气隔离的电路之间的信号传输。耦合电路之间的电位差不应超过最大允许参考电压。 MOC8101、MOC8102、MOC8103、MOC8104 的基极端子未连接，从而显着提高了共模抗扰度。