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MOSFET单晶体管
Datasheets - MOSFET单晶体管 - 2
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MOSFET单晶体管
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半导体类
离散量
晶体管,晶体管阵列和模块
MOSFET单晶体管
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APT
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2SK1058 — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SK1058
硅 P 通道 MOSFET,低频功率放大器,与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
2SJ160-E — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ160
2SJ160-E
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
2SJ160 — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ160
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
2SJ161-E — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ161
2SJ161-E
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
2SJ161 — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ161
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
2SJ162-E — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ162
2SJ162-E
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
2SJ162 — Datasheet Renesas
MOSFET单晶体管
Renesas
2SJ162
硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
SI2302DS,215 — Datasheet Nexperia
MOSFET单晶体管
Nexperia
SI2302DS
SI2302DS,215
N沟道TrenchMOS逻辑电平FET 采用 TrenchMOS 技术的塑料封装逻辑电平 N 通道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品仅设计并符合计算、通信、消费和工业应用的要求。 该产品已停产。
SI2302DS/G,215 — Datasheet Nexperia
MOSFET单晶体管
Nexperia
SI2302DS
SI2302DS/G,215
N沟道TrenchMOS逻辑电平FET 采用 TrenchMOS 技术的塑料封装逻辑电平 N 通道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品仅设计并符合计算、通信、消费和工业应用的要求。 该产品已停产。
SI2302DS — Datasheet Nexperia
MOSFET单晶体管
Nexperia
SI2302DS
N沟道TrenchMOS逻辑电平FET 采用 TrenchMOS 技术的塑料封装逻辑电平 N 通道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品仅设计并符合计算、通信、消费和工业应用的要求。 该产品已停产。
IRFZ24PbF-BE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
IRFZ24PbF-BE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFZ24 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
IRFZ24PbF — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
IRFZ24
IRFZ24PbF
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
IRFZ24
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
SiHFU9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFU9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFU9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFU9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRL-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRL-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
SiHFR9310TRR-GE3
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
SiHFR9310 — Datasheet Vishay
MOSFET单晶体管
Vishay
SiHFR9310
晶体管,晶体管阵列和模块
Vishay
SiHFR9310
功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合,为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件,可用于各种应用。
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