Datasheets - MOSFET单晶体管 - 2
小节: "MOSFET单晶体管"
制造商
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- N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
- N 沟道 MOSFET 晶体管 电机驱动、DC-DC转换器、电源开关和电磁阀驱动
- 超低噪声HEMT FHX35LG 是一款高电子迁移率晶体管 (HEMT)，适用于 2-18GHz 频率范围内的通用低噪声高增益放大器。该器件采用经济高效、低寄生、密封 (LG) 或环氧密封 (LP) 金属陶瓷封装，适用于大容量电信、DBS、TVRO、VSAT 或其他低噪声应用。
- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET -30V -50A 25 毫欧姆单 P 通道 TO-220 逻辑电平 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极-源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- HEXFET功率MOSFET
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET，低频功率放大器，与 2SJ160、2SJ161 和 2SJ162 互补 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
- 硅 P 通道 MOSFET 不推荐用于新设计
N沟道TrenchMOS逻辑电平FET 采用 TrenchMOS 技术的塑料封装逻辑电平 N 通道增强型场效应晶体管 (FET)。本产品仅设计并符合计算、通信、消费和工业应用的要求。 该产品已停产。