Datasheets - 红外线发射器 - 2
小节: "红外线发射器"
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大功率红外发射器，带有经设计的主光学器件，可实现高效率和光束控制 LUXEON IR Domed Line高功率红外发射器通过提供多种具有多种红外波长和光辐射图的产品来满足应用需求。 LUXEON IR半球形生产线采用创新的LUXEON技术设计，可提供行业领先的性能。通过一流的导热性，LUXEON IR Domed Line在实际工作条件下具有出色的性能。 LUXEON IR半球形生产线使用行业标准的占位面积，以便于集成和升级现有系统设计。- 大功率红外发射器，带有经设计的主光学器件，可实现高效率和光束控制 LUXEON IR Domed Line高功率红外发射器通过提供多种具有多种红外波长和光辐射图的产品来满足应用需求。 LUXEON IR半球形生产线采用创新的LUXEON技术设计，可提供行业领先的性能。通过一流的导热性，LUXEON IR Domed Line在实际工作条件下具有出色的性能。 LUXEON IR半球形生产线使用行业标准的占位面积，以便于集成和升级现有系统设计。
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940 nm高速红外发光二极管，表面发射器技术 特征 包装类型：表面贴装 包装形式：0805 尺寸（长x宽x高（毫米））：2 x 1.25 x 0.8
890 nm高速红外发光二极管，表面发射器技术 特征 包装类型：表面贴装 包装形式：0805 尺寸（长x宽x高（毫米））：2 x 1.25 x 0.8- 850 nm高速红外发光二极管，表面发射器技术 特征 包装类型：表面贴装 包装形式：0805 尺寸（长x宽x高（毫米））：2 x 1.25 x 0.8
AlGaAs红外发光二极管 SEP8706是铝砷化镓红外发光二极管，模制在侧面发射的烟灰色塑料封装中。芯片被放置为从封装的侧面通过塑料透镜发出辐射。在相同的正向电流下，这些器件的功率强度通常比砷化镓器件高70％。- AlGaAs红外发光二极管 SEP8706是铝砷化镓红外发光二极管，模制在侧面发射的烟灰色塑料封装中。芯片被放置为从封装的侧面通过塑料透镜发出辐射。在相同的正向电流下，这些器件的功率强度通常比砷化镓器件高70％。
- AlGaAs红外发光二极管 SEP8706是铝砷化镓红外发光二极管，模制在侧面发射的烟灰色塑料封装中。芯片被放置为从封装的侧面通过塑料透镜发出辐射。在相同的正向电流下，这些器件的功率强度通常比砷化镓器件高70％。
- AlGaAs红外发光二极管 SEP8706是铝砷化镓红外发光二极管，模制在侧面发射的烟灰色塑料封装中。芯片被放置为从封装的侧面通过塑料透镜发出辐射。在相同的正向电流下，这些器件的功率强度通常比砷化镓器件高70％。
红外发射器（850 nm）径向T1 3/4- 红外发射器（850 nm）径向T1 3/4
- 红外发射器（850 nm）径向T1 3/4
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- GaAs红外线发射器SFH409
- GaAs红外线发射器SFH409
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