Datasheets - 门驱动器 - 3
小节: "门驱动器"
制造商
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采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为7 V。 ...- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为7 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为4 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为4 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为11.5 V。 ...
- 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器集成电路 EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。 栅极驱动器系列具有± 4 ns传输延迟精度，可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行，共模瞬态抗扰性（CMTI）超过300 V/ns，典型输出级箝位速度短至20 ns，输出级欠压锁定（UVLO）为11.5 V。 ...
- 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS（开） = 225mΩ I DS（最大） = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
- 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS（开） = 225mΩ I DS（最大） = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
- 具有两个增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 所有功能 600 V系统级封装，集成了半桥栅极驱动器和高压GaN功率晶体管： QFN 9 x 9 x 1毫米封装 R DS（开） = 225mΩ I DS（最大） = 6.5 A 反向电流能力 零反向恢复损耗 低端和高端的UVLO保护 内部自举二极管 联锁功能 专用引脚用于关闭功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 电隔离的4 A单栅极驱动器，用于SiC MOSFET 所有功能 高达1200 V的高压轨 驱动器电流能力：25°C时4 A灌/拉电流 dV / dt瞬变抗扰度在整个温度范围内为±100 V / ns 总体输入输出传播延迟：75 ns 分离的接收器和源极选项，可轻松进行栅极驱动配置 4 A Miller CLAMP专用引脚选件 UVLO功能
- 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别 为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
- 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别 为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
- 具有两种增强模式GaN HEMT的高功率密度600V半桥驱动器 MASTERGAN2是一种先进的电源系统级封装，在非对称半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管。 集成功率GaN具有650 V的漏源击穿电压，低端和高端的R DS（ON）分别 为150mΩ和225mΩ，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端，而集成的自举二极管可轻松提供嵌入式栅极驱动器的高端。 ...
24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...- 24 V dual-channel low-side gate driver with high current for driving large power switches EiceDRIVER™ 24 V dual-channel low-side non-inverting gate driver for MOSFETs or IGBTs with typical 10 A source and sink currents in a DSO-8 package with ...
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。