Datasheets - 门驱动器 - 4
小节: "门驱动器"
制造商
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- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
- 200 V高端和低端栅极驱动器IC 采用8引线PDIP封装的200 V高侧和低侧驱动器IC，具有典型的1 A源极和1 A灌电流，用于IGBT和MOSFET。也提供8 Lead SOIC。
200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
- 200 V 高边和低边栅极驱动器 IC 200 V 高边和低边驱动器 IC,具有典型的 1 A 拉电流和 1 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。
5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...- 5.7 kV, 3 A单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，可配置I2C接口支持DESAT、软关断、UVLO、米勒钳位、TLTO和故障报告 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±3 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3830MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED38xx系列（X3 ...
- 5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...
5.7 kV, 9 A单通道灵活型隔离栅极驱动器，具备有源米勒钳位、可调DESAT和软关断功能 EiceDRIVER™增强型单通道高度灵活型隔离栅极驱动器，具备±9 A典型灌电流和拉电流峰值输出，采用节省空间的DSO-16细间距宽体封装，爬电距离大（ 8 mm），适用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET。 1ED3491MU12M 属于EiceDRIVER™增强型1ED34xx系列（X3 ...- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 三重半桥栅极驱动器 STDRIVE101是适用于驱动三相无刷电动机的低压栅极驱动器。 它是具有三个用于N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器的单芯片。每个驱动器的电流能力为600 mA（灌/拉电流）。它集成了一个低压降线性稳压器，可通过自举电路为低端和高端栅极驱动器生成电源电压。 该器件在低侧和高侧部分均提供了欠压锁定（UVLO），可防止电源开关在低效率或危险条件下工作。 集成在STDRIVE101中的控制逻辑允许两种输入策略（高端和低端或使能和PWM驱动信号）。根据DT / ...
- 采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。
采用DSO-24封装，带有集成自举二极管和过电流保护的1200 V、0.65 A三相栅极驱动器 1200 V 三相SOI栅极驱动器带有集成自举二极管和过电流保护，采用DSO-24封装（移除了四个引脚的DSO-28），具有典型的0.35 A源电流和0.65 A漏电流。用于驱动IGBT 和MOSFET。- 电隔离4 A单栅极驱动器 STGAP2HS是单个栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。 栅极驱动器具有4 A的能力和轨至轨输出，使该器件还适合中高功率应用，例如工业应用中的功率转换和电机驱动器逆变器。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断。具有单输出引脚和Miller CLAMP功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。两种配置均可为外部组件提供高度的灵活性并减少材料清单。 ...
- 电隔离4 A单栅极驱动器 STGAP2HS是单个栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。 栅极驱动器具有4 A的能力和轨至轨输出，使该器件还适合中高功率应用，例如工业应用中的功率转换和电机驱动器逆变器。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断。具有单输出引脚和Miller CLAMP功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。两种配置均可为外部组件提供高度的灵活性并减少材料清单。 ...