Datasheets - 门驱动器 - 5
小节: "门驱动器"
制造商
Analog Devices Diodes Efficient Power Conversion GaNPower International Infineon International Rectifier IXYS Linear Technology Microchip Renesas STMicroelectronics Texas Instruments TRINAMIC搜索结果: 1,444 输出量: 81-100
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- 电隔离4 A单栅极驱动器 STGAP2HS是单个栅极驱动器，可在栅极驱动通道与低压控制和接口电路之间提供电流隔离。 栅极驱动器具有4 A的能力和轨至轨输出，使该器件还适合中高功率应用，例如工业应用中的功率转换和电机驱动器逆变器。该设备有两种不同的配置。具有独立输出引脚的配置允许通过使用专用栅极电阻器来独立优化导通和关断。具有单输出引脚和Miller CLAMP功能的配置可防止半桥拓扑快速换相期间的栅极尖峰。两种配置均可为外部组件提供高度的灵活性并减少材料清单。 ...
80 V，12.5 A ePower级 额定输出电流（1 MHZ）（1），12.5 A 工作PWM频率范围（2），3 MHz 工作输入电压范围，60 V 偏置电源电压，12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
- 80 V，12.5 A ePower级 额定输出电流（1 MHZ）（1），12.5 A 工作PWM频率范围（2），3 MHz 工作输入电压范围，60 V 偏置电源电压，12 V 输出电流和PWM频率额定值是工作条件的函数
- 80 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 60 V增强模式GaN功率晶体管半桥
- 具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列
具有真正差分输入的1通道非隔离式栅极驱动器IC系列- 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
- 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
- 9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序，同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置，以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
- 用于汽车的4A，6A，3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器
- 适用于汽车14-SOIC的4A，6A，3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器-40至125
- 适用于汽车14-SOIC的4A，6A，3.75kVRMS隔离式双通道栅极驱动器-40至125
带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC- 带有集成自举二极管和DSO-14封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC- 带有集成自举二极管和DSO-8封装的650V，2.5A大电流半桥栅极驱动器IC
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-14封装
- 650 V，2.5 A大电流半桥栅极驱动器IC，带集成自举二极管，采用DSO-8封装