Datasheets - MOSFET单晶体管 - 5
小节: "MOSFET单晶体管"
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功率MOSFET- 功率MOSFET
- N 沟道 20V (DS) MOSFET
- N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管20V，1.3A，0.21Ω 这些 N 沟道逻辑电平增强模式功率场效应晶体管采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术生产。这种非常高密度的工艺是专门为最大限度地降低导通电阻而定制的。这些器件特别适合笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡和其他电池供电电路中的低压应用，这些应用需要在外形非常小的表面贴装封装中实现快速开关和低串联功率损耗。
- 单 P 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET -20V、-2A、70mΩ 该 P 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺生产，该工艺经过专门定制，可最大程度地降低导通电阻，同时保持较低的栅极电荷，从而实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电电路以及 DC/DC 转换。
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 这种增强模式（常关）晶体管利用垂直DMOS结构和经过验证的硅栅制造工艺
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
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- 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 DPAK 设计用于使用气相、红外或波峰焊接技术进行表面安装。直引线版本（IRLU、SiHLU 系列）适用于通孔安装应用。在典型的表面贴装应用中，功耗水平可能高达 1.5 W。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 这些 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管是使用 Fairchild 专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。这种非常高密度的工艺经过特别定制，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能。 该产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用。