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Datasheets - 单FET、MOSFET - 8

小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed
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  1. IRF523 — Datasheet New Jersey Semiconductor
    单FET、MOSFET New Jersey Semiconductor IRF523
    N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
  2. IRF1010N — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRF1010N
    HEXFET功率MOSFET International Rectifier 的高级 HEXFET 功率 MOSFET 利用先进的加工技术实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设备设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，可用于各种应用。 TO-220 封装是所有商业-工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。 TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  1. HUF75652G3 — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor HUF75652G3
    N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET 100V、75A、8mΩ
  2. IXTH44P15T — Datasheet IXYS
    单FET、MOSFET IXYS IXTH44P15T
    TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
  3. IXTQ44P15T — Datasheet IXYS
    单FET、MOSFET IXYS IXTQ44P15T
    TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
  4. IXTA44P15T — Datasheet IXYS
    单FET、MOSFET IXYS IXTA44P15T
    TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
  5. IXTP44P15T — Datasheet IXYS
    单FET、MOSFET IXYS IXTP44P15T
    TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
  6. BSS123 — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor BSS123
    N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.
  7. SI1470DH-T1-E3 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SI1470DH SI1470DH-T1-E3
    N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  8. IRL3103PbF — Datasheet International Rectifier
    单FET、MOSFET International Rectifier IRL3103PbF
    采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
  9. MTP3N60E/D — Datasheet ON Semiconductor
    单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP3N60E MTP3N60E/D
    TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计，雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
  10. Si1308EDL — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay Si1308EDL
    N 沟道 30 V (DS) MOSFET
  11. IRLU8743PBF — Datasheet Infineon
    单FET、MOSFET Infineon IRLU8743 IRLU8743PBF
    30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
  12. IRLR8743 — Datasheet Infineon
    单FET、MOSFET Infineon IRLR8743
    30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
  13. IRLB8743PBF — Datasheet Infineon
    单FET、MOSFET Infineon IRLB8743 IRLB8743PBF
    30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
  14. RFP10P03L — Datasheet Intersil
    单FET、MOSFET Intersil F10P03L RFP10P03L
    P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  15. RFD10P03L — Datasheet Intersil
    单FET、MOSFET Intersil 10P03L RFD10P03L
    P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
  16. SUD25N15-52 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SUD25N15-52
    N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
  17. SUD19N20-90 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SUD19N20-90
    N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET
  18. FDS6679 — Datasheet Fairchild
    单FET、MOSFET Fairchild FDS6679
    P 通道 PowerTrench MOSFET，30V，-13A，9mΩ 该 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。这些 MOSFET 具有比其他具有可比 R DS(ON) 规格的 MOSFET 更快的开关和更低的栅极电荷。结果是一个易于驱动且更安全的 MOSFET（即使在非常高的频率下），以及具有更高整体效率的 DC/DC 电源设计。