Datasheets - 单FET、MOSFET - 8
小节: "单FET、MOSFET"
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- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- 采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计，雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
N 沟道 30 V (DS) MOSFET- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- N 沟道 150V (DS) 175°C MOSFET
- N 沟道 200 V (DS) 175 °C MOSFET
- P 通道 PowerTrench MOSFET，30V，-13A，9mΩ 该 P 沟道 MOSFET 专为提高使用同步或传统开关 PWM 控制器和电池充电器的 DC/DC 转换器的整体效率而设计。这些 MOSFET 具有比其他具有可比 R DS(ON) 规格的 MOSFET 更快的开关和更低的栅极电荷。结果是一个易于驱动且更安全的 MOSFET（即使在非常高的频率下），以及具有更高整体效率的 DC/DC 电源设计。
- N 沟道逻辑电平 PowerTrench MOSFET 30V、2.7A、46mΩ 这种 N 沟道逻辑电平 MOSFET 采用先进的 PowerTrench 工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻并保持卓越的开关性能。 这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。
功率 MOSFET (N-ch 500V VDSS≤700V)- 小信号 MOSFET 200V 250mA 10 Ohm 单 N 通道 TO-92 逻辑电平 该 MOSFET 专为高压、高速开关应用而设计，例如线路驱动器、继电器驱动器、CMOS 逻辑、微处理器或 TTL 至高压接口和高压显示驱动器。
- 30V N沟道MOSFET