Datasheets - MOSFET单晶体管 - 8
小节: "MOSFET单晶体管"
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通孔MOSFET N沟道增强模式-UltraMOS- 通孔MOSFET N沟道增强模式-UltraMOS
- N 沟道功率 MOSFET，11 A，60-100 V 这些器件是 n 沟道、增强型功率 MOSFET，专为高速应用而设计，例如开关电源、转换器、交流和直流电机控制、继电器和螺线管驱动器以及其他脉冲电路。
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- HEXFET功率MOSFET International Rectifier 的高级 HEXFET 功率 MOSFET 利用先进的加工技术实现极低的单位硅面积导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的设备设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的设备，可用于各种应用。 TO-220 封装是所有商业-工业应用的普遍首选，功耗水平约为 50 瓦。 TO-220 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
- N 沟道 UltraFET 功率 MOSFET 100V、75A、8mΩ
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- TrenchP 功率 MOSFET 沟槽 P 沟道 MOSFET 非常适合“高侧”开关应用，在这些应用中可以采用以地为参考的简单驱动电路，避免使用 N 沟道 MOSFET 时通常涉及的额外“高侧”驱动电路。 这使设计人员能够减少元件数量，从而提高驱动电路的简单性和整体元件成本结构。此外，它允许设计具有相应 N 沟道 MOSFET 的互补功率输出级，用于与简单驱动电路配对的功率半桥级。
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.
- N 沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 100V、170 mA、6Ω 这种 N 沟道增强型 MOSFET 是使用专有的高单元密度 DMOS 技术生产的。该产品旨在最大限度地降低导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。BSS123 特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器和其他开关应用.