Datasheets - MOSFET单晶体管 - 8

小节: "MOSFET单晶体管"
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  1. Datasheet Vishay IRF510PbF-BE3
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  2. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  1. Datasheet Vishay IRF510PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  2. -60V-100V 小信号 MOSFET 封装:SOT-23
  3. P 沟道、POWERTRENCH、逻辑电平 MOSFET 此 60 V P 沟道 MOSFET 使用 onsemi 的高压 POWERTRENCH 工艺。它针对电源管理应用进行了优化。
  4. P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  5. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-E3
    P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  6. Datasheet Vishay Si3457CDV-T1-GE3
    P通道30 V(DS)MOSFET TrenchFET 功率 MOSFET
  7. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  8. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  9. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  10. N 沟道 75 V、0.0095 Ohm(典型值)、80 A STripFET II 功率 MOSFET,采用 TO-220 封装 该功率 MOSFET 系列采用 STMicroelectronics 独特的 STripFET 工艺实现,专门设计用于最大限度地减少输入电容和栅极电荷。因此,它适合在电信和计算机应用的高级高效、高频隔离式 DC-DC 转换器中用作初级开关。它还适用于栅极驱动要求低的任何应用。
  11. Datasheet Vishay SiHF640
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  12. Datasheet Vishay SiHF640-E3
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  13. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  14. 功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  15. Datasheet Vishay IRF640PbF
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  16. Datasheet Vishay IRF640
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固耐用的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。 TO-220AB 封装是所有功耗级别约为 50 W 的商业-工业应用的普遍首选。TO-220AB 的低热阻和低封装成本使其在整个行业得到广泛接受。
  17. 150 V、329 A 增强型 GaN 功率晶体管
  18. 200 V、260 A 增强型 GaN 功率晶体管