Datasheets - MOSFET单晶体管 - 9
小节: "MOSFET单晶体管"
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- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- 采用 TO-220AB 封装的 30V 单 N 沟道 HEXFET 功率 MOSFET International Rectifier 的先进 HEXFETÆ 功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现每硅片区域的极低导通电阻。这一优势与 HEXFET 功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效和可靠的器件，可用于各种应用。
- TMOS E−FET 高能功率 FET N−Channel Enhancement−Mode Silicon Gate 这种先进的高压 TMOS E-FET 旨在承受雪崩模式下的高能量并高效切换。这种新的高能器件还提供具有快速恢复时间的漏源二极管。专为电源、PWM 电机控制和其他感应负载等高压、高速开关应用而设计，雪崩能量功能旨在消除感应负载开关设计中的猜测，并针对意外电压瞬变提供额外的安全裕度。
N 沟道 30 V (DS) MOSFET- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
- N 沟道 30 V (DS) MOSFET
30V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET 8-VSON-CLIP -55 至 150- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 Power MOSFET, 采用 I-PAK 封装 The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive ...
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D-Pak 封装
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- 30V Logic Level Single N-Channel StrongIRFET™ Power MOSFET in a TO-220 package The StrongIRFET™ power MOSFET family is optimized for low R DS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring ...
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。
- P沟道功率MOSFET 这些产品是使用 MegaFET 工艺制造的 P 沟道功率 MOSFET。该工艺使用接近 LSI 电路的特征尺寸，可实现硅的最佳利用，从而实现出色的性能。它们设计用于开关稳压器、开关转换器、电机驱动器和继电器驱动器等应用。这些晶体管可以直接由集成电路操作。