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参考电压
Datasheets - 参考电压 - 10
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TS3320AQPR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3320AQPR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3325ACR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3325ACR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3325AMR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3325AMR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3325AQPR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3325AQPR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3330ACR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3330ACR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3330AMR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3330AMR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3330AQPR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3330AQPR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3333ACR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3333ACR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3333AMR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3333AMR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3333AQPR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3333AQPR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS33 — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
TS3312ACR — Datasheet STMicroelectronics
参考电压
STMicroelectronics
TS33
TS3312ACR
微功率高精度串联电压基准 所有功能 固定1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3.0V、3.3V、4.096V、5.0V输出电压 超低工作电流:25°C 时 3.9 μA(典型值) 高初始精度:+/-0.15% 与容性负载一起使用时稳定 扩展温度范围:-40至+125°C 最大温度系数为 30 ppm/°C 采用 QFN8 1.5x1.5、SOT23-3L 和 SOT323-3L 封装。
REF35250YBHR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35250YBHR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35300QDBVR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35300QDBVR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35300YBHR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35300YBHR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35330QDBVR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35330QDBVR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35360QDBVR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35360QDBVR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35409QDBVR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35409QDBVR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35409YBHR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35409YBHR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
REF35500QDBVR — Datasheet Texas Instruments
参考电压
Texas Instruments
REF35
REF35500QDBVR
650 nA 静态电流、12 ppm/°C 漂移、超低功耗精密电压基准 REF35 是一系列纳瓦级、低漂移、高精度系列基准器件。REF35 系列具有 ±0.05% 的初始精度和 650nA 的典型功耗。器件的温度系数 (12ppm/°C) 和长期稳定性 (1000 小时时为 40ppm) 有助于提高系统稳定性和可靠性。低功耗与高精度规格相结合,专为各种便携式和低电流应用而设计。 REF35 可提供高达 10mA 的电流,噪声为 3.3ppmp-p,负载调节为 ...
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