Datasheets - 光耦合器/光耦合器 - 10
小节: "光耦合器/光耦合器"
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高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
- 高速光耦合器，5 MBd，1 kV / µs dV / dt 特征 数据速率5 MBit / s（在整个温度范围内为2.5 MBit / s） 缓冲 隔离测试电压，5300 VRMS 1分钟
直流输入无铅通用光电晶体管光电耦合器 HCPL-181-000E光电耦合器包含一个与光电晶体管光学耦合的发光二极管。它采用2.0毫米外形的4引脚微型扁平SMD封装。该产品尺寸小，可节省大量空间。封装体积比传统DIP类型小30％。输入输出隔离电压为3750 Vrms。输入电流为5 mA时，响应时间tr通常为4 ms，最小CTR为50％。 特征 电流传输率（CTR：IF = 5 mA时最小50％，VCE = 5 V） 高输入输出隔离电压（Viso = 3750 Vrms） ...- 直流输入无铅通用光电晶体管光电耦合器 HCPL-181-000E光电耦合器包含一个与光电晶体管光学耦合的发光二极管。它采用2.0毫米外形的4引脚微型扁平SMD封装。该产品尺寸小，可节省大量空间。封装体积比传统DIP类型小30％。输入输出隔离电压为3750 Vrms。输入电流为5 mA时，响应时间tr通常为4 ms，最小CTR为50％。 特征 电流传输率（CTR：IF = 5 mA时最小50％，VCE = 5 V） 高输入输出隔离电压（Viso = 3750 Vrms） ...
- 直流输入无铅通用光电晶体管光电耦合器 HCPL-181-000E光电耦合器包含一个与光电晶体管光学耦合的发光二极管。它采用2.0毫米外形的4引脚微型扁平SMD封装。该产品尺寸小，可节省大量空间。封装体积比传统DIP类型小30％。输入输出隔离电压为3750 Vrms。输入电流为5 mA时，响应时间tr通常为4 ms，最小CTR为50％。 特征 电流传输率（CTR：IF = 5 mA时最小50％，VCE = 5 V） 高输入输出隔离电压（Viso = 3750 Vrms） ...
- 直流输入无铅通用光电晶体管光电耦合器 HCPL-181-000E光电耦合器包含一个与光电晶体管光学耦合的发光二极管。它采用2.0毫米外形的4引脚微型扁平SMD封装。该产品尺寸小，可节省大量空间。封装体积比传统DIP类型小30％。输入输出隔离电压为3750 Vrms。输入电流为5 mA时，响应时间tr通常为4 ms，最小CTR为50％。 特征 电流传输率（CTR：IF = 5 mA时最小50％，VCE = 5 V） 高输入输出隔离电压（Viso = 3750 Vrms） ...
- 直流输入无铅通用光电晶体管光电耦合器 HCPL-181-000E光电耦合器包含一个与光电晶体管光学耦合的发光二极管。它采用2.0毫米外形的4引脚微型扁平SMD封装。该产品尺寸小，可节省大量空间。封装体积比传统DIP类型小30％。输入输出隔离电压为3750 Vrms。输入电流为5 mA时，响应时间tr通常为4 ms，最小CTR为50％。 特征 电流传输率（CTR：IF = 5 mA时最小50％，VCE = 5 V） 高输入输出隔离电压（Viso = 3750 Vrms） ...