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  1. 功率 MOSFET 33 安培,100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  2. 功率 MOSFET 20 安培,200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计,特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路,并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
  1. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  2. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  3. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  4. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  5. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  6. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  7. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  8. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  9. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  10. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  11. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  12. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  13. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  14. 适用于多输出应用的离线零电压开关 (ZVS) 反激式开关 IC
  15. 精密、微功耗、低压差、高输出电流、SOT23 电压基准 MAX6061-MAX6068 是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件的工作输入电压范围为 (V OUT + 50mV 典型值) 至 12.6V,输出电压选项包括 1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V 和 5V。它们采用专有曲率校正电路和激光微调薄膜电阻,温度系数极低,为 20ppm/°C(最大值),初始精度为 ±0.2%(最大值)。规格适用于扩展温度范围(-40°C 至 +85°C)。 ...
  16. 精密、微功耗、低压差、高输出电流、SOT23 电压基准 MAX6061-MAX6068 是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件的工作输入电压范围为 (V OUT + 50mV 典型值) 至 12.6V,输出电压选项包括 1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V 和 5V。它们采用专有曲率校正电路和激光微调薄膜电阻,温度系数极低,为 20ppm/°C(最大值),初始精度为 ±0.2%(最大值)。规格适用于扩展温度范围(-40°C 至 +85°C)。 ...
  17. 精密、微功耗、低压差、高输出电流、SOT23 电压基准 MAX6061-MAX6068 是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件的工作输入电压范围为 (V OUT + 50mV 典型值) 至 12.6V,输出电压选项包括 1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V 和 5V。它们采用专有曲率校正电路和激光微调薄膜电阻,温度系数极低,为 20ppm/°C(最大值),初始精度为 ±0.2%(最大值)。规格适用于扩展温度范围(-40°C 至 +85°C)。 ...
  18. 精密、微功耗、低压差、高输出电流、SOT23 电压基准 MAX6061-MAX6068 是精密、低压差、微功耗电压基准。这些三端器件的工作输入电压范围为 (V OUT + 50mV 典型值) 至 12.6V,输出电压选项包括 1.25V、1.8V、2.048V、2.5V、3V、4.096V、4.5V 和 5V。它们采用专有曲率校正电路和激光微调薄膜电阻,温度系数极低,为 20ppm/°C(最大值),初始精度为 ±0.2%(最大值)。规格适用于扩展温度范围(-40°C 至 +85°C)。 ...