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IX4351NE — Datasheet IXYS
门驱动器
IXYS
IX4351NE
9A低侧SiC MOSFET和IGBT驱动器 IX4351NE专为驱动SiC MOSFET和大功率IGBT而设计。单独的9A源极和漏极输出可实现量身定制的导通和关断时序,同时将开关损耗降至最低。内部负电荷调节器提供可选的负栅极驱动偏置,以改善dV / dt抗扰度并加快关断速度。
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