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STGAP3SXS — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXS
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3SXSTR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXS
STGAP3SXSTR
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3SXS — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXS
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3SXI — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXI
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3SXITR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXI
STGAP3SXITR
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3SXI — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3SXI
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6S — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
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具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6STR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3S6S
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具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6S — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3S6S
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6I — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP3S
STGAP3S6I
具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6ITR — Datasheet STMicroelectronics
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具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
STGAP3S6I — Datasheet STMicroelectronics
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具有保护功能的电气隔离 6/10 A 单栅极驱动器 STGAP3S 是一系列受保护的单栅极驱动器,可在栅极驱动通道和低压控制和接口电路之间提供电流隔离。
IXRFD630 — Datasheet IXYS
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IXYS
IXRFD630
射频 MOSFET 驱动器 IXRFD630 是一款 CMOS 高速大电流栅极驱动器,专门用于驱动 D 类和 E 类 HF RF 应用中的 MOSFET,以及其他需要超快上升和下降时间或短最小脉冲宽度的应用。IXRFD630 可以输出和吸收 30A 峰值电流,同时产生小于 4ns 的电压上升和下降时间以及 8ns 的最小脉冲宽度。
L99H92QF-TR — Datasheet STMicroelectronics
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L99H92
L99H92QF-TR
适合汽车应用的 H 桥栅极驱动器 L99H92 旨在驱动单 H 桥或双独立半桥配置中的 4 个外部 N 通道 MOSFET 晶体管,用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流感应放大器。 该设备具有低功耗模式(待机模式),其中电流消耗低于 5 µA。 可编程栅极驱动电流可最大程度降低 EMI。每个栅极驱动器独立监控其外部 MOSFET 漏源电压,以检测故障情况。 可编程交叉电流保护时间可避免每个半桥的高端和低端同时激活。 ...
L99H92Q5-TR — Datasheet STMicroelectronics
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L99H92
L99H92Q5-TR
适合汽车应用的 H 桥栅极驱动器 L99H92 旨在驱动单 H 桥或双独立半桥配置中的 4 个外部 N 通道 MOSFET 晶体管,用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流感应放大器。 该设备具有低功耗模式(待机模式),其中电流消耗低于 5 µA。 可编程栅极驱动电流可最大程度降低 EMI。每个栅极驱动器独立监控其外部 MOSFET 漏源电压,以检测故障情况。 可编程交叉电流保护时间可避免每个半桥的高端和低端同时激活。 ...
L99H92 — Datasheet STMicroelectronics
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L99H92
适合汽车应用的 H 桥栅极驱动器 L99H92 旨在驱动单 H 桥或双独立半桥配置中的 4 个外部 N 通道 MOSFET 晶体管,用于汽车应用中的直流电机控制。集成了两个可自由配置的电流感应放大器。 该设备具有低功耗模式(待机模式),其中电流消耗低于 5 µA。 可编程栅极驱动电流可最大程度降低 EMI。每个栅极驱动器独立监控其外部 MOSFET 漏源电压,以检测故障情况。 可编程交叉电流保护时间可避免每个半桥的高端和低端同时激活。 ...
ADP1621 — Datasheet Analog Devices
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Analog Devices
ADP1621
恒定频率、电流模式升压 DC-DC 控制器 ADP1621 是一款固定频率、脉冲宽度调制 (PWM)、电流模式、升压转换器控制器。它驱动外部 N 通道 MOSFET,将输入电压转换为更高的输出电压。ADP1621 还可用于驱动反激式、SEPIC 和正向转换器拓扑(隔离式或非隔离式)。 ADP1621 通过测量 n 沟道 MOSFET 导通电阻上的压降,无需使用电流检测功率电阻。该技术允许开关节点的最大电压高达 30 V,可最大程度提高效率并降低成本。对于高于 30 V ...
ADP1621ARMZ-R7 — Datasheet Analog Devices
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Analog Devices
ADP1621
ADP1621ARMZ-R7
恒定频率、电流模式升压 DC-DC 控制器 ADP1621 是一款固定频率、脉冲宽度调制 (PWM)、电流模式、升压转换器控制器。它驱动外部 N 通道 MOSFET,将输入电压转换为更高的输出电压。ADP1621 还可用于驱动反激式、SEPIC 和正向转换器拓扑(隔离式或非隔离式)。 ADP1621 通过测量 n 沟道 MOSFET 导通电阻上的压降,无需使用电流检测功率电阻。该技术允许开关节点的最大电压高达 30 V,可最大程度提高效率并降低成本。对于高于 30 V ...
STGAP2SICD — Datasheet STMicroelectronics
门驱动器
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STGAP2SICD
电隔离 4 A 双栅极驱动器 所有功能 高达 1200 V 的高压轨 驱动器电流能力:4 A 灌/拉 @ 25 °C dV/dt 瞬态抗扰度 ±100 V/ns 整体输入输出传播延迟:75 ns 单独的灌电流和拉电流选项,便于栅极驱动配置 4米勒钳 UVLO 功能 可配置联锁功能
STGAP2SICDTR — Datasheet STMicroelectronics
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STGAP2SICD
STGAP2SICDTR
电隔离 4 A 双栅极驱动器 所有功能 高达 1200 V 的高压轨 驱动器电流能力:4 A 灌/拉 @ 25 °C dV/dt 瞬态抗扰度 ±100 V/ns 整体输入输出传播延迟:75 ns 单独的灌电流和拉电流选项,便于栅极驱动配置 4米勒钳 UVLO 功能 可配置联锁功能
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