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ZR40401F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR40401F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZR40402F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR40402F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZR404005F25TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZR4040-2.5
ZR404005F25TA
2.5V 低拐点电流电压参考 ZR4040-2.5 使用带隙电路设计来实现 2.5 伏的精密微功率电压基准。该设备采用小型表面贴装封装,非常适合注重节省空间的应用,以及通孔封装。ZR4040-2.5 设计无需外部电容器即可提供稳定的电压,并且在电容负载下也能保持稳定。ZR4040-2.5 建议在 60µA 和 15mA 之间运行,因此非常适合低功耗和电池供电应用。在绝对最大值 25mA 下仍能保持出色的性能,但坚固的设计和 20 伏处理使基准能够承受瞬态效应和高达 200mA ...
ZHT431F01TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431F01TA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
ZHT431F02TA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431F02TA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
ZHT431FMTA — Datasheet Diodes
参考电压
Diodes
ZHT431
ZHT431FMTA
低拐点电流 2.5 可调分流稳压器 ZHT431 是一款三端可调分流稳压器,具有出色的温度稳定性和高达 100mA 的输出电流处理能力。该器件提供扩展的工作温度范围,工作温度范围为 -55 至 +125°C。通过选择两个外部分压电阻,可将输出电压设置为 2.5 至 20 伏之间的任意电压。
BAS70-06-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-06
BAS70-06-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-05-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-05
BAS70-05-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-04Q-13-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70-04
BAS70-04Q-13-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BAS70-7-F — Datasheet Diodes
肖特基二极管与整流器
Diodes
BAS70
BAS70-7-F
表面贴装肖特基势垒二极管 70mA 表面贴装肖特基势垒二极管采用 SOT23 封装,具有低正向压降和快速开关能力,并设计有用于瞬态和 ESD 保护的 PN 结保护环。
BSS84-7-F — Datasheet Diodes
MOSFET单晶体管
Diodes
BSS84
BSS84-7-F
P 沟道增强型 MOSFET
BSS84-13-F — Datasheet Diodes
MOSFET单晶体管
Diodes
BSS84
BSS84-13-F
P 沟道增强型 MOSFET
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