Datasheets - 单FET、MOSFET

小节: "单FET、MOSFET"
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  1. Datasheet Rohm RV2C010UNT2L
    20V 1A N沟道功率MOSFET 超小型封装(1006尺寸)RV2C010UN适用于便携式设备。
  2. 20V 1A N沟道功率MOSFET 超小型封装(1006尺寸)RV2C010UN适用于便携式设备。
  1. Datasheet Rohm RTR020P02TL
    2.5V驱动P沟道MOSFET 已宣布产品停产(EOL)。
  2. 2.5V驱动P沟道MOSFET 已宣布产品停产(EOL)。
  3. TO-3封装的N沟道MOSFET晶体管
  4. Datasheet Rohm RUC002N05
    1.2V驱动N沟道MOSFET 通过适用于移动设备的微处理技术,MOSFET具有极低的导通电阻,从而降低了电流消耗。满足市场需求的紧凑型,大功率型和复杂型的广泛产品阵容。
  5. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  6. The IGB110S101 is a 100 V normally-off e-mode power transistor housed in a small PQFN 3x3 package, enabling high power density designs. Thanks to its low on-state resistance, it is the ideal choice for reliable performance in demanding high-voltage ...
  7. IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管,采用小型 PQFN 3x5 封装,可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻,它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
  8. IGC033S101 是一款 100 V 常关型增强模式功率晶体管,采用小型 PQFN 3x5 封装,可实现高功率密度设计。凭借其低导通电阻,它是高要求高压大电流应用中可靠性能的理想选择。
  9. P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30V, SOT-23 Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality ...
  10. P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET), -30V, SOT-23 Infineon technologies offers automotive and industrial manufacturers a broad portfolio of N- and P-Channel Small Signal MOSFETs that meet and exceed the highest quality ...
  11. 采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
  12. Datasheet Infineon IRF4905STRLPBF
    采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
  13. Datasheet Infineon IRF4905STRRPBF
    采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
  14. Datasheet Infineon IRF4905SPBF
    采用 D2-Pak 封装的 -55V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
  15. Datasheet Ampleon BLF989EU
    UHF功率LDMOS晶体管 用于非对称广播Doherty发射机应用的1000 W LDMOS RF功率晶体管,其平均功率为180 W DVB-T。该设备的出色耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。
  16. UHF功率LDMOS晶体管 适用于非对称广播 Doherty 发射器应用的 1000 W LDMOS RF 功率晶体管,工作功率为 180 W DVB-T。该器件具有出色的耐用性,非常适合频率范围为 400 MHz 至 860 MHz 的数字和模拟发射器应用。
  17. Datasheet Ampleon BLF881S,112
    UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能,是数字发射机应用的理想选择。
  18. UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能,是数字发射机应用的理想选择。