Datasheets - MOSFET单晶体管
小节: "MOSFET单晶体管"
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UHF功率LDMOS晶体管 用于非对称广播Doherty发射机应用的1000 W LDMOS RF功率晶体管，其平均功率为180 W DVB-T。该设备的出色耐用性使其非常适合数字和模拟发射机应用。- UHF功率LDMOS晶体管 适用于非对称广播 Doherty 发射器应用的 1000 W LDMOS RF 功率晶体管，工作功率为 180 W DVB-T。该器件具有出色的耐用性，非常适合频率范围为 400 MHz 至 860 MHz 的数字和模拟发射器应用。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。- UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。- UHF功率LDMOS晶体管 适用于广播发射机应用和工业应用的 140 W LDMOS 射频功率晶体管。该晶体管可在 HF 至 1 GHz 范围内提供 140 W 功率。该器件具有出色的耐用性和宽带性能，是数字发射机应用的理想选择。
- 30V P 沟道 MOSFET AO3401 采用先进的沟槽技术，提供出色的 RDS(ON)、低栅极电荷和低至 2.5V 的栅极电压。该设备适合用作负载开关或 PWM 应用。
- P 沟道 1.8V 额定 PowerTrench MOSFET 这款 P 沟道 1.8V 规格 MOSFET 采用 Fairchild 的低压 PowerTrench 工艺。它已针对电池电源管理应用进行了优化。
P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
- P沟道增强型MOSFET 该 MOSFET 的设计旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
- 功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- 功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
- N 沟道和 P 沟道增强模式场效应晶体管
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- 功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
- N沟道MOSFET
- N沟道MOSFET