Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
制造商
Advanced Linear Devices Alpha & Omega Ampleon APT Avago Technologies Central Semiconductor Clare Cree Diodes Efficient Power Conversion Eudyna Devices Fairchild Freescale Fuji Electric HALO Inchange Semiconductor Infineon Integra Technologies International Rectifier International Wire Intersil IXYS IXYS RF JiLin Sino-Microelectronics JX Semiconductor Littelfuse Magnachip MCC Microchip Microsemi Motorola Multicomp National Semiconductor New Jersey Semiconductor Nexperia Niko Semiconductor NTE Electronics NXP ON Semiconductor Panasonic Philips Renesas Rohm Sanyo Semelab Semikron Siliconix STMicroelectronics Taiwan Semiconductor Temic Texas Instruments Toshiba VBsemi Vishay Wayon Wolfspeed Youtai搜索结果: 8,306 输出量: 1-20
视图: 清单 / 图片
1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。- 1200V N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1200V N沟道SiC MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1200V、40Ω、碳化硅 MOSFET，采用 TO-247-3L 封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、100A、16Ω、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1200V、60A、45mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更高的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 1700V、40A、72mΩ、N沟道、碳化硅MOSFET，采用TO-247-3L封装 JX-MT3 系列 SiC MOSFET 采用 TO-247-3L 封装，可确保高功率密度和高能耗系统在高温下稳定运行，从而实现紧凑设计并降低 EMI。
- 3300V SiC N沟道 MOSFET，TO-247封装 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括更高的效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的系统尺寸。
采用 TO247-4 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。- 采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
- 采用 TO247-3 封装的 650V N 沟道 MOSFET 碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，与硅相比，具有更优异的开关性能和更高的可靠性。此外，其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和低栅极电荷。因此，系统优势包括： 最高效率、更快的运行频率、更高的功率密度、更低的电磁干扰和更小的系统尺寸。
800W 内部预匹配 GaN HEMT，SOT-1214B 封装 CLF09H4LS800P 是一款 800 W 内部预匹配的射频 GaN HEMT 功率晶体管，可在 902 MHz 至 928 MHz 的频率范围内使用。 范围 价值 制造商 安普隆 类型 射频氮化镓高电子迁移率晶体管，内部预匹配 技术 氮化镓/碳化硅 工作频率 902–928 MHz 输出功率 800瓦 供电电压 50伏 排水效率 高达 81.8% CW 功率增益 在 928 MHz 频率下最高可达 17.4 dB 包裹 ...- 800W 内部预匹配 GaN HEMT，SOT-1214B 封装 CLF09H4LS800P 是一款 800 W 内部预匹配的射频 GaN HEMT 功率晶体管，可在 902 MHz 至 928 MHz 的频率范围内使用。 范围 价值 制造商 安普隆 类型 射频氮化镓高电子迁移率晶体管，内部预匹配 技术 氮化镓/碳化硅 工作频率 902–928 MHz 输出功率 800瓦 供电电压 50伏 排水效率 高达 81.8% CW 功率增益 在 928 MHz 频率下最高可达 17.4 dB 包裹 ...