Datasheets - 单FET、MOSFET
小节: "单FET、MOSFET"
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N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
- N沟道耗尽型MOSFET 250V 10欧姆 SOT-89封装 | 系列：N沟道耗尽型MOSFET 我们的N沟道耗尽型场效应晶体管（FET）采用专有的第三代垂直DMOS工艺。该第三代工艺以经济的硅栅工艺实现了世界一流的高压MOSFET性能。垂直DMOS工艺可制造出适用于高功率应用且具有高输入阻抗的坚固耐用的器件。这些高可靠性的FET器件已广泛应用于我们面向工业和电信应用的固态继电器中。
采用 DPAK/TO-252 封装的 N 沟道 MOSFET 晶体管
N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装- N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装
- N沟道MOSFET，650V，12A，0.65Ω，TO-220F封装
N沟道900V、1.1Ω、8A、TO-220、TO-220FP、D2PAK、TO-247封装的齐纳保护SuperMESH功率MOSFET
采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流- 采用 TO-247AC 封装的功率 MOSFET 特征 低栅极电荷 Qg 导致驱动要求简单 提高栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性 完全表征电容和雪崩电压和电流
汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET- 汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
- 汽车级 N 沟道 80 V (DS) 175 °C MOSFET
P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET- P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
- P沟道100V（DS）MOSFET 无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。TrenchFET 功率 MOSFET
单 N 沟道 2.5V 指定 PowerTrench MOSFET 30V、5.0A、40mΩ 该单 N 沟道 MOSFET 采用先进的 Power Trench 工艺设计，以优化特殊 MicroFET 引线框架上的 RDS(on) @VGS=2.5V。
20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。- 20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。
- 20 V，单 P 通道沟槽 MOSFET 采用 Trench MOSFET 技术的小型 SOT23（TO-236AB）表面贴装器件（SMD）塑料封装中的 P 沟道增强模式场效应晶体管（FET）。