Datasheets - 晶体管，晶体管阵列和模块

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1. MTP33N10E — Datasheet ON Semiconductor
   单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP33N10E
   晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor MTP33N10E
   功率 MOSFET 33 安培，100 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供了具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。
2. MTP20N20E — Datasheet ON Semiconductor
   单FET、MOSFET ON Semiconductor MTP20N20E
   晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor MTP20N20E
   功率 MOSFET 20 安培，200 伏特 该功率 MOSFET 旨在承受雪崩和换向模式下的高能量。节能设计还提供具有快速恢复时间的漏极到源极二极管。这些设备专为电源、转换器和 PWM 电机控制中的低压、高速开关应用而设计，特别适合二极管速度和换向安全工作区至关重要的桥式电路，并提供额外的安全裕度来防止意外电压瞬变。

3. CPH3362-TL-W — Datasheet ON Semiconductor
   单FET、MOSFET ON Semiconductor CPH3362 CPH3362-TL-W
   晶体管，晶体管阵列和模块 ON Semiconductor CPH3362
   功率 MOSFET 100V、1.7Ω、0.7A、单 P 通道
4. IRFF330 — Datasheet Infineon
   单FET、MOSFET Infineon IRFF330
   晶体管，晶体管阵列和模块 Infineon IRFF330
   400V N 沟道 HEXFET 晶体管 HEXFET 技术是 International Rectifier 的 HiRel 先进功率 MOSFET 晶体管系列的关键。这一最新“先进”设计采用高效的几何形状和独特的工艺，实现了：极低的导通电阻和高跨导。
5. STF19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   单FET、MOSFET STMicroelectronics STF19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STF19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
6. STD19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   单FET、MOSFET STMicroelectronics STD19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STD19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
7. STB19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   单FET、MOSFET STMicroelectronics STB19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STB19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
8. STP19NF20 — Datasheet STMicroelectronics
   单FET、MOSFET STMicroelectronics STP19NF20
   晶体管，晶体管阵列和模块 STMicroelectronics STP19NF20
   N 沟道 200 V、0.11 欧姆（典型值）、11 A 网格覆盖功率 MOSFET，采用 TO-220 封装 这些功率 MOSFET 采用 STMicroelectronics 的整合条带布局 MESH OVERLAY 工艺设计。最终产品的性能可媲美或优于其他制造商的同类标准部件。
9. IRFZ24 — Datasheet Vishay
   单FET、MOSFET Vishay IRFZ24
   晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFZ24
   功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 为设计人员提供了快速开关、坚固的设备设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。
10. SiHFU9310-GE3 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SiHFU9310 SiHFU9310-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
11. SiHFR9310TRR-GE3 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay SiHFR9310 SiHFR9310TRR-GE3
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay SiHFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
12. IRFU9310PbF — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFU9310 IRFU9310PbF
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFU9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。
13. IRFR9310 — Datasheet Vishay
    单FET、MOSFET Vishay IRFR9310
    晶体管，晶体管阵列和模块 Vishay IRFR9310
    功率MOSFET Vishay 的第三代功率 MOSFET 采用先进的处理技术来实现单位硅面积的低导通电阻。这一优势与功率 MOSFET 众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其高效且可靠的器件，可用于各种应用。